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合肥固体物理所发明含硅化合物多孔膜合成新方法
中国科学院合肥物质科学研究院 / 时间:2007-11-16 16:54:00

  据科学网2007年11月14日讯 近日,中国科学院合肥物质科学研究院固体物理所的博士研究生杨亚军在其导师孟国文、张立德研究员的指导下,发明了一种合成含硅化合物多孔膜的新方法――多孔硅膜的原位直接转化法。他们利用这种原位直接转化技术,将自制的多孔硅自支撑薄膜分别转化为氮化硅、碳化硅以及硅酸锌等多孔薄膜。研究表明,这些含硅化合物的多孔自支撑薄膜,继承了其母相固体(多孔硅薄膜)的形貌和微结构特征。因此,可以通过控制多孔硅膜制备过程中的腐蚀参数,获得具有所需形貌和结构的多孔硅薄膜;进而采用这种直接转化方法,就可获得比表面积和孔径可调的含硅化合物的多孔薄膜。该项研究成果在过滤、分离、催化、传感器等方面有着潜在的应用前景,已申请我国发明专利,其题为Converting Free-standing Porous Silicon into Si-related Porous Membrane的研究论文,已被德国《应用化学》(ANGEWANDTE CHEMIE.) 接收发表,在征得论文作者同意的前提下,该刊编辑部将其作为热点文章(Hot Paper),于11月9日提前发表在该杂志网站的主页上。
  该项研究得到了国家杰出青年基金、纳米研究重大科学研究计划和中科院百人计划的资助。